RD Carbburuzko Film erresistentziak Ezaugarriak: 1. Pure carbburuzkohydric buruzko zeramikazko nukleoak. 2. Behe kostua. 3. Ona kalitatea eta fidagarritasuna. 4. ematen Deflagrazioen aurkako idazten, RDN.
RD Karbono Filmarentzako erresistentziak
|
Produktuak |
RD Karbono Filmarentzako erresistentziak |
|
Ezaugarriak |
1. Karbohidrato purua zeramikazko nukleoen gainean. 2. Kostu baxua. 3. Kalitate ona eta fidagarritasuna. 4. Eman sugarra mota, RDN. |
Errendimendu elektrikoa eta mekanikoa:
|
Ezaugarriak |
Arauak |
Proba metodoak |
|
Erresistentzia Tolerantzia |
 ± 5% (J) edo  ± 2% (G) |
- |
|
Erresistentzia Temp. Koef. |
0 ~ -1300 ppm / Â ° C |
-55Â ° C ~ 155Â ° C |
|
Potentzia puntuazioa kargatzea |
Gainazaleko tenperatura, 235 ºC-ko tenperatura maximoa-³R / Râ ‰ ± ± 1% |
Tentsio nominala 30 minutuz |
|
Denbora laburreko gainkarga |
 ± 1% |
2,5 aldiz balioztatutako 5 aldiz 5 segundoz. |
|
Tentsio Dielektrikoa |
Ez dago kalte mekanikorik edo isolamendu matxuraren frogarik.
|
Max. Gainkarga-tentsioa 1 minutura (RDN 1 W & 2 W ：AC 350V) |
|
Isolamenduarekiko erresistentzia |
10,000MÎ © |
DC 100V edo 500V megger |
|
Terminalaren indarra |
Ez dago kalte mekanikoen frogarik. |
<1 / 4W ：1 kg > 1 / 2W ： 1,5 kg |
|
Soldadurak-gaitasuna |
Minimum95% estaldura |
235Â ± 5Â ° C 2 segundoz |
|
Erresistentzia Bero soldadura |
Ez dago kalte mekanikoen frogarik.△R/R≤ ± 1 % |
270Â ± 5Â ° C 10 Â ± 1 segundo 350Â ± 10Â ° C 3,5 Â ± 0,5 segundoz |
Environmental Ezaugarriak:
|
Ezaugarriak |
Arauak |
Proba metodoak |
|
Aldi baterako. zikloa |
△ R/R≤ ± 1% |
-55 ºC (30 min.) Â & # x20AC; & # x201C; â & # x20AC; & # x153; Gela-tenperatura (3 min.) / (5 ziklo) |
|
Kargatu Bizitza |
â ³R / RA ¤Â ± 5% |
Potentzia nominala kargatzea 90 minutu ON 30 minutu itzalita 70 ° C 1000 ordu |
|
Moisture-proof Kargatu Bizitza |
â ³R / RA ¤Â ± 5% |
Potentzia nominala kargatzea 90 minutu ON 30 minutu itzalita 40A º C95% RH500 ordu |
|
Nonflammability |
sutan |
16 aldiz 5 minutuko potentzia nominala |
Dimensionsï¼
|
Potentzia nominala |
Da ± 1 |
La ± 1 |
Ha ± 3 |
Da ± 0.1 |
Erresistentzia-barrutia (Î ©) |
Max. Lan Tentsioa |
|
RD 1 / 8W, 1 / 6W (1 / 4WS) |
1.7Â ± 0.2 |
3.7max. |
28 |
0.45 |
3.9 ~ 4.7m |
200V |
|
RD 1 / 4W (1 / 2WS) |
2.4Â ± 0.5 |
6.4 |
28 |
0.6 |
3.9 ~ 10M |
250V |
|
RD 1 / 2W |
3.5 |
9 |
28 |
0.65 |
3.9 ~ 10M |
350V |
|
RDN 1W |
4.5 |
11 |
28 |
0.8 |
3.9 ~ 10M |
500V |
|
RDN 2W |
5.0 |
15 |
28 |
0.8 |
3.9 ~ 10M |
750V |
Derating Curve:
70 ºC-tik gorako giro-tenperaturetan funtzionatzen duten erresistentzien kasuan, potentziaren kalifikazioa beheko kurbaren arabera kalifikatu behar da.
Gainazaleko tenperatura Rise：
